商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 694W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 246nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.36nF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性负载开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
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