商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 694W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 246nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.36nF |
商品特性
- 功率MOS 7个MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定值
- 并联碳化硅(SiC)肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性与温度无关
- 正向压降(VF)具有正温度系数
- 开尔文源极便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于功率连接的引线框架
- 内置热敏电阻用于温度监测
- 高度集成
应用领域
-电机控制-开关模式电源-不间断电源
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