商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A |
优惠活动
购买数量
(24个/托盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个24个/托盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
其他推荐
- QSCF500Q180G1GV001T
- G125-224109600
- 2014441212
- 172-015-102R051
- SG-8018CG 22.5791M-TJHSA0
- 632L3I007M37200
- 516-120-541-366
- 3QHM53C0.5-99.000
- 4302-822K
- MDM-37PCBRP-A174
- M83723/59-124RC
- 747838-4
- 25QHM53D0.5-14.318
- 70-ODC24
- DEMAE15PA101
- SG3225VEN 70.656000M-CJHA3
- SIT8208AI-31-33E-33.333000
- 9018860000
- 510BCA50M0000CAGR
- SQS944ENW-T1_GE3
- MLEAWT-A1-R250-0004Z5

