SQS944ENW-T1_GE3
2个N沟道 耐压:40V 电流:6A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQS944ENW-T1_GE3
- 商品编号
- C17358927
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 615pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 415pF |
商品概述
一款350 W的超耐用LDMOS功率晶体管，适用于HF至600 MHz频段的广播和工业应用。
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
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