EVALSTDRV600HB8

L638xE和L639x是采用BCD™“离线”技术制造的高压器件。它们是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计为可承受高达600V的电压轨。逻辑输入与CMOS/TTL兼容，低至3.3V便于与微控制器接口，高达15V适用于霍尔效应接口。集成的自举二极管允许更紧凑和经济高效的设计，但在特定要求下仍可使用外部二极管。EVALSTDRV600HB8为每个兼容的栅极驱动器提供2个SO8封装的样品，并允许在驱动基于N沟道MOSFET或IGBT的半桥功率级时评估所有栅极驱动器的特性和功能，这些器件采用多种不同封装，电压额定值高达600V。滤波和自举电容等基本无源元件已安装在PCB上，而栅极驱动网络应根据所选功率开关进行填充。无源元件的焊盘与SMT和T.H.元件兼容，因此可以快速轻松地进行配置和修改。

• 半桥配置
• 高达600V的高压轨
• 包含SO8封装的每个兼容栅极驱动器的样品（L6385E、L6387E、L6388E、L6389E、L6395、L6398、L6399）
• 与DPAK、D2PAK、TO - 220、TO - 220FP封装的MOSFET/IGBT兼容
• 在全温度范围内dV/dt瞬态抗扰度为±50V/ns
• 集成自举二极管
• 专用的高端和低端驱动输入
• 紧凑且简化的布局
• 套件中的栅极驱动器具有不同的功能和特性（高端和低端均有欠压锁定、内部死区时间或无死区时间、用于防交叉导通保护的互锁、能够驱动不对称半桥和开关磁阻电机、单输入栅极驱动的高电平或低电平有效LIN）