- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJT7002H_R1_00001
2个N沟道 耐压:60V 电流:250mA
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJT7002H_R1_00001
- 商品编号
- C17352615
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12pF |
商品概述
这款新一代互补MOSFET H桥的特点是，在低栅极驱动条件下可实现低导通电阻。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON):栅源电压VGS为10V、漏极电流ID为300mA时,小于5Ω
- 漏源导通电阻RDS(ON):栅源电压VGS为5V、漏极电流ID为50mA时,小于7.5Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 静电放电保护
- 专为继电器驱动、高速线路驱动等设计
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤)
应用领域
- 直流电机控制-直流-交流逆变器
- PE1015-2
- SIT8208AC-3F-18E-74.176000X
- SG-8018CG 7.864320M-TJHSA0
- EV90G302
- SG-8018CB 87.351542M-TJHSA0
- CE3292-24.704
- SIT8208AI-G1-25E-16.368000Y
- MGV12056R8M-10
- RCS1608F1154CS
- VUO110-12NO7
- M85049/86-20W02
- MD1-21PL1
- SIT9365AC-1EF-33N50.000000
- SIT8209AC-22-18S-133.333000
- SXO32C3C161-40.000M
- RD25S10Z0C
- SIT9003AC-13-33DQ-1.00000Y
- 5111824-9
- SG-8018CA 150.2020M-TJHPA0
- M22MPL-MSB10-E30-R
- SIT1602BI-33-XXN-65.000000