TH58BVG3S0HTAI0

8Gbit CMOS NAND E2PROM

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品牌名称: KIOXIA(铠侠)
商品型号: TH58BVG3S0HTAI0
商品编号: C17344285
商品封装: TFSOP-48-18.4mm
包装方式: 托盘
商品毛重: 2.307克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	2.5ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	100uA
	擦写寿命	-
	功能特性	读缓存功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能

商品概述

TH58BVG3S0HTA10是一款单3.3V、8G比特（8，858，370，048比特）的NAND型电可擦除可编程只读存储器，其组织结构为（4096 + 128）字节 × 64页 × 4096块。该器件拥有一个4224字节的静态寄存器，允许以4224字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程与读取数据。擦除操作以单个块为单位（256 K字节 + 8 K字节：4224字节 × 64页）执行。这是一款串行型存储器器件，利用其I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行，使其非常适合需要高密度非易失性数据存储的应用，例如固态文件存储、语音记录、静态相机的图像文件存储器等系统。该器件内置ECC逻辑，可内部纠正每528字节数据中最多8比特的读取错误。

商品特性

模式：读取、复位、自动页编程、自动块擦除、状态读取、页复制、多页读取、多页编程、多块擦除、ECC状态读取
模式控制：串行输入/输出命令控制
有效块数量：最小4016块，最大4096块
电源电压：Vcc = 2.7V to 3.6V
访问时间：存储单元阵列到寄存器传输时间典型值55 μs（单页读取）/ 90 μs（多页读取）；读取周期时间最小值25 ns（CL=50pF）
编程/擦除时间：自动页编程典型值340 μs/页；自动块擦除典型值2.5 ms/块
工作电流：读取（25 ns周期）最大值30 mA；编程（平均）最大值30 mA；擦除（平均）最大值30 mA；待机电流最大值100 μA
封装：TSOP I 48-P-1220-0.50（重量典型值0.54 g）
芯片内置每528字节的8比特ECC功能

应用领域

固态文件存储
语音记录
静态相机图像文件存储器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	8Gbit
	接口类型	-
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	2.7V~3.6V
	写周期时间(Tw)	25ns
	页写入时间(Tpp)	25ns