TH58BVG2S3HBAI4
4 Gbit CMOS NAND E²PROM
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- 描述
- TH58BVG2S3HBAI4 是一款4 Gbit (4,429,185,024 bits) 的NAND Electrically Erasable and Programmable ROM。该设备支持3.3V供电,具有2112字节的静态寄存器,用于在寄存器和内存单元阵列之间传输数据。擦除操作以单个块单位(128 Kbytes + 4 Kbytes: 2112 bytes x 64 pages)实现。该设备具有内部ECC逻辑,可以纠正每个528字节的8位读错误。
- 品牌名称
- KIOXIA(铠侠)
- 商品型号
- TH58BVG2S3HBAI4
- 商品编号
- C17345014
- 商品封装
- TFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能;读缓存功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能 | |
| ECC | 有 |
- 629-25W3640-2TC
- SKY66114-11-EK1
- EE-SX770A
- 628-M37-623-GT1
- 25QHM53C0.5-20.8125
- SIT8008AI-21-25E-48.000000
- 3QHM53D2.0-48.000
- TYS30153R3M-10
- XLL720110.000000X
- MP-2016-2100-35-90
- Q6004R4TP
- 2-178314-3
- IPL1-115-02-L-D-K
- BKT-117-02-L-V-S-A
- SIT8208AC-21-28E-66.666000
- SG-8101CE 16.7722M-TBGSA0
- 31GF6-E3/54
- 25QHM572D1.0-23.000
- NTE395
- PNG.225.VZZY
- EV1HMC545A

