- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SNXH75M65L3F2STG
SNXH75M65L3F2STG
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SNXH75M65L3F2STG
- 商品编号
- C17341178
- 商品封装
- PIM-32(42.5x56.7)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 236W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.58V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 75ns；78ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 380ns；389ns | |
| 导通损耗(Eon) | 920uJ；930uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.26mJ；1.043mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
SNXH75M65L3F2STG采用HERIC拓扑结构，为太阳能逆变器应用提供了高效解决方案。集成的高速场截止IGBT可降低导通和开关损耗。预涂覆的PCM无需额外的热界面材料印刷工艺。此外，螺丝夹提供了一种快速可靠的安装方法。
商品特性
- 高效率
- 低导通和开关损耗
- 高速场截止IGBT
- 内置用于温度监测的NTC
- 这是一款无铅器件
- 全塑料F2封装
- 焊接引脚
- 具有低热阻的Al₂O₃ DBC
- 预涂覆PCM（相变材料）
应用领域
- 太阳能逆变器
- XPGBWT-01-R250-00FD1
- SIT8208AI-83-33S-50.000000
- 5520711809F
- LCAX4/0-14-X
- TFC-145-01-F-D
- 637-230NF08-5
- 1604228
- CMB3090-R050-000Q0U0A30G
- VS151129
- NTCLE400E3222H
- M83513/03-E01N
- AFT26HW050SR3
- 514CBA000851BAG
- HTST-107-02-F-D
- 2317206-4
- SIHB33N60ET5-GE3
- RCS1005F41R2CS
- CWN-572-60-0021
- SG-8018CA 1.0050M-TJHPA0
- SIT1602BC-73-XXN-8.192000
- 2302739-4