商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+225℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
- 514CBA000851BAG
- HTST-107-02-F-D
- 2317206-4
- AS215-92LF
- SIHB33N60ET5-GE3
- RCS1005F41R2CS
- CWN-572-60-0021
- SG-8018CA 1.0050M-TJHPA0
- SIT1602BC-73-XXN-8.192000
- 2302739-4
- 8D525F19BC
- 25QHM53C0.125-33.33333
- RC1005J515CS
- PDB185-GTR31-504C2
- 654C10005I3T
- 0741640118
- XHP50D-H0-0000-0D0BH450E
- S3B-TP
- 0444-2-17-01-30-02-02-0
- S-1701E5040-U5T1G
- GS2B-LTP

