EM6M1T2R
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 耐压:20V 电流:100mA 电流:200mA
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- EM6M1T2R
- 商品编号
- C17339871
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品特性
- N沟道MOSFET和P沟道MOSFET采用EMT6封装。
- 高速开关。
- 低电压驱动(2.5V驱动)。
- 内置栅源保护二极管。
应用领域
- 开关
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