- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
EM6M1T2R
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 耐压:20V 电流:100mA 电流:200mA
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- EM6M1T2R
- 商品编号
- C17339871
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品特性
- N沟道MOSFET和P沟道MOSFET采用EMT6封装。
- 高速开关。
- 低电压驱动(2.5V驱动)。
- 内置栅源保护二极管。
应用领域
- 开关
- SIT8008BIT22-33S-28.640000
- 627-7W2-224-5TE
- 570AAC001737DGR
- SANM-S193A-L915US
- ARF1510
- RCS2012F4640CS
- EB171A-03-K
- BPSC00101151181T00
- SIT8208AC-G2-28E-16.368000X
- FW-15-05-L-D-355-100
- 09661136601
- NTHS1206N04N3303KE
- 660-031M13N-G
- BZH01/A0620/01
- FWLF-1519-7D-37-C
- 1246.3
- SIT9120AI-2D3-33S74.250000
- STMM-103-02-G-D-SM-TR
- 5505105004F
- XPEBWT-L1-0000-00DE4
- T720043504DN