- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FP100R12N3T7B11BPSA1
FP100R12N3T7B11BPSA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FP100R12N3T7B11BPSA1
- 商品编号
- C17338829
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | IGBT模块 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8uC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 21.7nF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 76pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 159ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 330ns | |
| 导通损耗(Eon) | 11.5mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 6.95mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- V(ces) = 1200 V
- I(c nom) = 100 A / I(crm) = 200 A
- TrenchstopTM IGBT7
- 低VCEsat
- 过载运行温度可达175℃
- 高负载和热循环稳定性
- 集成NTC温度传感器
- 铜底板
- 低导热电阻的Al₂O₃基板
- PressFIT连接技术
应用领域
辅助变频器、电机驱动、伺服变频器
- SIT8208AI-G1-25E-66.666660T
- SG-8018CE 150.3700M-TJHPA0
- 68645-003LF
- 105-332G
- CTGSR74BF-270M
- SG-8018CG 26.6670M-TJHSA0
- MLEAWT-H1-R250-0003Z5
- IPT1-125-01-L-D-RA
- SG-8018CB 50.3400M-TJHPA0
- SG-8002CA 50.0000M-PCML2
- SG-8018CB 127.2130M-TJHPA0
- 638P12503C2T
- 2-1445089-3
- ECS-3525-1250-B-TR
- SG-8018CA 116.0250M-TJHPA0
- MOLC-140-61-L-Q
- ASEAIG-40.000MHZ-C-S-T
- CTSPI2D18F-3R3M
- L101247A-80L
- SIT8208AI-2F-28E-33.330000T
- GCM1885C1H391GA16J