商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 110V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 55.1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.31pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 16.8pF |
商品概述
MwT-LN600是一款超低噪声、准增强型pHEMT，其标称栅长为0.15微米，栅宽为600微米，非常适合需要极低噪声和高达20 GHz高相关增益的应用。该器件在宽带（如6至18 GHz）和窄带应用中同样有效。
商品特性
- 易于进行功率控制
- 集成双面 ESD 保护,可实现 C 类操作并使晶体管完全关断
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计(HF 至 1000 MHz)
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的 2002/95/EC 指令
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
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