- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@3.75V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 39pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.84pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
一款35 W LDMOS射频功率晶体管,适用于广播发射机和工业应用。该晶体管适用于从高频(HF)到1400 MHz的频率范围。该器件出色的耐用性和宽带性能使其非常适合数字应用。
商品特性
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 高效率
- 卓越的可靠性
- 易于进行功率控制
- 符合关于限制有害物质(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 高频到1400 MHz频率范围内的通信发射机应用
- 高频到1400 MHz频率范围内的工业应用
- 630-21W1250-3N5
- 626L13304C3T
- 10HPEND1
- XHP35B-00-0000-0D0UC20E7
- 627-17W5222-7N1
- ADH20010
- SG-8018CE 3.5000M-TJHSA0
- 142-90-306-00-592000
- 134-10-318-00-050000
- PU2BAH
- QSCP251Q0R9C1GV001T
- SIT8208AI-8F-18S-75.000000T
- CDFR7W2113L412
- IXBOD1-40R
- SG-8018CG 33.1776M-TJHPA0
- M0820-36K
- IPL1-103-02-F-S-K-TR
- RC1608F2802CS
- SG-8018CG 95.0000M-TJHPA0
- SG-8018CB 78.1250M-TJHPA0
- TEM-140-02-04.0-H-D-WT-TR