商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@3.75V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 39pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.84pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
一款35 W LDMOS射频功率晶体管,适用于广播发射机和工业应用。该晶体管适用于从高频(HF)到1400 MHz的频率范围。该器件出色的耐用性和宽带性能使其非常适合数字应用。
商品特性
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 高效率
- 卓越的可靠性
- 易于进行功率控制
- 符合关于限制有害物质(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 高频到1400 MHz频率范围内的通信发射机应用
- 高频到1400 MHz频率范围内的工业应用
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