商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@3.75V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 39pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.84pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET®工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅面积尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，且二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 高效率
- 卓越的可靠性
- 易于进行功率控制
- 符合关于限制有害物质(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 高频到1400 MHz频率范围内的通信发射机应用
- 高频到1400 MHz频率范围内的工业应用
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