QS8J1TR
2个P沟道 耐压:12V 电流:4.5A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- QS8J1TR
- 商品编号
- C17335320
- 商品封装
- TSMT8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.45nF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻。
- 低电压驱动(1.5 V)。
- 高功率封装。
应用领域
- 开关
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