- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
QS8J1TR
2个P沟道 耐压:12V 电流:4.5A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- QS8J1TR
- 商品编号
- C17335320
- 商品封装
- TSMT8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.45nF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻。
- 低电压驱动(1.5 V)。
- 高功率封装。
应用领域
- 开关
- RE54-442S
- 0334710539
- RSF2B-221-JTW
- SIT1602BC-31-18E-35.840000
- MDM-100PH1L-A174
- 5V49EE502-EVB
- M83723/60-110AT
- SIT1602BI-73-XXE-12.000000
- ATP04-4P-PM07GEC
- 627-17W2222-3TA
- AS7261N-BLGT
- MX6AWT-A1-R250-0009A3
- SD1A210GW1
- 21-033828-001
- 8D025F08SN-LC
- BPDR00060620680M00
- LCC8-14AF-L
- XQEAWT-00-0000-00000BFE2
- XREWHT-L1-0000-008B1
- 05-0720-0272-02
- D12K10R