NTE319
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 260mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 20 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.75V | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品特性
- 低反馈电容(CCB):典型值 -0.13pF,最大值 0.22pF
- 高未中和功率增益:在 45MHz 时最小 27dB
- 在 45MHz 时,VAGC 保证 -30dB 和 -50dB
- 25QHM572D2.0-55.296
- EVALM1IR2214TOBO1
- SIT8209AC-83-18S-200.000000
- DM1303431
- STEVAL-IFP032V1
- SIT8209AI-22-18S-100.000000
- ADBP-REEL
- 141A10939X
- SIT9365AI-4B1-25E98.304000
- SIT8008BC-13-18E-27.000000
- SIT1602BC-13-33E-33.333300
- TST-109-01-S-D-LL
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- SIT8208AC-81-25E-33.330000
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- AT04-3P-MM01
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- 3118-1-00-21-00-00-08-0
- SIT8208AI-81-33E-26.000000
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