- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTE160
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 10mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 16V | |
| 耗散功率(Pd) | 60mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 50 | |
| 特征频率(fT) | 700MHz | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 0.3V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
NTE160是一款采用TO72金属外壳的锗台面PNP晶体管，设计用作前置放大器、混频器和振荡器，最高工作频率可达900MHz。
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