NX6020NBKS115
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 430pC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 17pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.4pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的互补型N/P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为超小型SOT363（SC - 88）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 极快的开关速度
- 静电放电(ESD)保护
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-电平转换器-电源转换器