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场效应管(MOSFET)
MRF21125R3
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此图展示了型号为 MRF21125R3 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 MRF21125R3 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
MRF21125R3
1个N沟道
品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
MRF21125R3
商品编号
C17331757
商品封装
SOT-957A
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
65V
连续漏极电流(Id)
-
导通电阻(RDS(on))
-
耗散功率(Pd)
330W
阈值电压(Vgs(th))
4V@300uA
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
-
输入电容(Ciss)
-
反向传输电容(Crss)
5.4pF
工作温度
-
配置
-
类型
N沟道
输出电容(Coss)
-
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