商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 83.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
- 3QHM53D0.25-115.000
- MDM-21SSM2-A141
- 0466-0-15-80-21-27-04-0
- DC95G104W
- 45-1F20.2010.000.108
- 170-10-642-00-001101
- 1719770112
- 25QHM53D4.0-27.120
- MS25042-12DA
- 440133-9
- 660-031Z1711H4-114
- T6070218B4BT
- LTMM-122-02-L-D-SM-K
- 510CAA7M37280CAG
- R6220255ESOO
- FR606A-G
- SIT8918BE-78-XXS-100.000000
- SIT8208AC-33-18E-74.250000
- 3QHM53D0.5-25.000
- M30-1101200
- 512BAC000132AAG

