IS43TR16512S2DL-125KBLI-TR
512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM,支持标准电压1.5V和低电压1.35V,刷新间隔为7.8us(8192周期/64ms)在-40°C到85°C范围内,高速数据传输速率高达933MHz,8个内部bank支持并发操作,异步复位引脚,8位预取架构,支持可编程CAS延迟,动态ODT,可编程附加延迟0, CL-1, CL-2,支持写入均衡,可编程突发长度4和8,支持突发截断。
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS43TR16512S2DL-125KBLI-TR
- 商品编号
- C17328894
- 商品封装
- LWBGA-96(9x13)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 800MHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;自动自刷新;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;动态片上端接;数据掩码功能 |
- IS43TR85120B-125KBL
- IS43TR16128DL-125KBLI-TR
- IS46TR16640C-125JBLA2-TR
- IS43QR16256B-083RBLI-TR
- IS43TR81024BL-107MBLI-TR
- SI5338N-B12608-GM
- SI5334C-B13853-GMR
- AS4C4M32MSA-6BIN
- W9864G6JT-6I
- SI5338C-B14124-GMR
- SI5338C-B03792-GM
- SI5338C-B06652-GMR
- SI52138-A16AGMR
- AS4C8M16D1A-5TCNTR
- IS42S83200J-7TLI-TR
- SI5338C-B05165-GM
- SI5338K-B04435-GMR
- SI5338C-B01404-GMR
- EM6HE08EW8D-10IH
- AS4C512M16D3LC-12BIN
- SI5338B-B11997-GMR

