IS43TR16128DL-125KBLI-TR

2Gb DDR3 SDRAM

描述: 128Mx16 DDR3 SDRAM，支持1600MHz，具有1.5V±0.075V的标准电压和1.35V±0.1V的低电压选项。支持异步复位和TDQS功能。
品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS43TR16128DL-125KBLI-TR
商品编号: C17328900
商品封装: TWBGA-96(9x13)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.414克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	84mA
	刷新电流	18mA
	工作温度	-40℃~+95℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

该文档介绍了256Mx8、128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM的相关信息，包括其特性、配置、封装、引脚说明以及复位和初始化过程等。在复位和初始化方面，详细说明了上电初始化序列，如施加电源时的电压要求、复位信号的保持时间、时钟的启动和稳定要求等，还阐述了芯片在不同阶段的状态和信号设置。

标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
低电压（L）：VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V，向后兼容1.5V
高速数据传输速率，系统频率高达1066 MHz
8个内部存储体，可并发操作
8n位预取架构
可编程CAS延迟
可编程附加延迟：0、CL - 1、CL - 2
基于tCK的可编程CAS写延迟（CWL）
可编程突发长度：4和8
可编程突发序列：顺序或交错
动态BL切换
自动自刷新（ASR）
自刷新温度（SRT）
刷新间隔：7.8 μs（8192周期/64 ms），Tc = -40°C至85°C；3.9 μs（8192周期/32 ms），Tc = 85°C至105°C；1.95 μs（8192周期/16 ms），Tc = 105°C至115°C；0.97 μs（8192周期/8 ms），Tc = 115°C至125°C
部分阵列自刷新
异步复位引脚
支持TDQS（终结数据选通）（仅x8）
OCD（片外驱动器阻抗调整）
动态ODT（片上终结）
驱动器强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240 Ω）
写电平调整
DLL关闭模式下高达200 MHz
工作温度：商业级（Tc = 0°C至 +95°C）；工业级（Tc = -40°C至 +95°C）；汽车级，A1（Tc = -40°C至 +95°C）；汽车级，A2（Tc = -40°C至 +105°C）；汽车级，A25（Tc = -40°C至 +115°C）；汽车级，A3（Tc = -40°C至 +125°C）