商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 740pF |
- SIT8920BM-23-25E-90.000000
- SIT1602BI-73-28S-38.400000
- FTLX3815M341
- SIT9365AI-4E1-30N62.500000
- CWN-370-50-0021
- SIT9365AI-2E1-33N74.250000
- SIT8918BE-13-XXS-25.600000
- 37308-3163-0W0 FL
- SIT9365AI-2E2-25E74.175824
- 1586406-2
- 699692-000
- SIT1602BC-73-XXN-27.000000
- RTP270HVNAX
- VIH100
- 370-90-107-00-001000
- 714-87-105-41-001101
- SIT9365AI-4B3-25N75.000000
- SIT8209AI-82-25S-166.600000
- SIT1602BC-81-25E-33.000000
- TSM53-H30HM33ST-12.352M
- GSP1.9110.1

