商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 273W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
- SIT8008BC-23-33E-56.650000
- 530761-9
- PE71S6354
- 2159221001
- M22MP-ASB02-G
- SIT1602BI-21-XXS-40.500000
- 21451202
- SIT1602BC-12-25E-7.372800
- SIT8208AC-81-18E-33.300000
- T627082574DN
- 50WA025
- SIT1602BC-81-28N-3.570000
- 1N2138R
- DC904A-A
- SIT8208AC-23-25E-4.096000
- 688-108NF13
- SIT9365AC-4E3-30N156.250000
- 8953-0-05-01-00-00-03-0
- 3QHM53C1.0-66.000
- 25QHM53D0.5-12.500
- 09643127210

