TH58BYG2S3HBAI6

NAND闪存内存，24nm技术，内置ECC

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描述: Toshiba的BENANDTM系列4Gb NAND FLASH存储器，具有内部ECC功能，适用于工业和消费电子设备。支持1.8V供电，工作温度范围为-40°C至85°C，采用67BGA6.5x8封装。
品牌名称: KIOXIA(铠侠)
商品型号: TH58BYG2S3HBAI6
商品编号: C17318113
商品封装: VFBGA-67(6.5x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

东芝的SLC NAND先进闪存产品为敏感或频繁使用的系统数据提供了卓越的耐用性和数据保留能力。对于持久产品或在主机与内存之间具有极高数据吞吐量的系统，东芝的SLC是合适的解决方案。东芝的新型BENAND™通过直接在硬件中嵌入纠错码（ECC），在保持与原始SLC NAND相同的规格、可靠性和性能的同时，减轻了主机处理器的纠错负担。

商品特性

SLC NAND 24nm
容量1Gb - 128Gb
扩展温度范围
TSOP和BGA封装
BENAND 24nm，内置ECC的SLC NAND
容量1Gb - 8Gb
片上硬件ECC
与原始SLC具有相同的可靠性和性能
与原始SLC具有相同的硬件接口和封装

应用领域

工业
消费电子
多媒体
智能计量与智能照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	4Gbit
	接口类型	Parallel
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	1.7V~1.95V
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	25ns

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	-
	擦写寿命	-
	功能特性	ECC纠错功能