TC58NYG2S0HBAI6
TC58NYG2S0HBAI6
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- 描述
- TC58NYG2S0HBAI6 是一款单1.8V 4Gbit (4,563,402,752 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM),组织结构为(4096+256)bytes×64pages×2048blocks。擦除和编程操作自动执行。
- 品牌名称
- KIOXIA(铠侠)
- 商品型号
- TC58NYG2S0HBAI6
- 商品编号
- C17322247
- 商品封装
- VFBGA-67(6.5x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 25ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 3.5ms | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
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