- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 170V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 350W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
VRF161是一款镀金硅N沟道射频功率晶体管,专为需要高功率和增益,同时不牺牲可靠性、耐用性或互调失真的宽带商业应用而设计。
商品特性
- 增强耐用性 V(BR)DSS = 170 V
- 在30MHz、50V条件下,功率200W,典型增益24dB
- 在150MHz、50V条件下,功率200W,典型增益14dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 提供配对产品
- 在规定工作条件下,负载电压驻波比能力达70:1
- 采用氮化物钝化处理
- 难熔金属镀金工艺
- 可作为MRF151的高功率替代产品
- 符合RoHS标准
- 1N6081
- 620-053UC20C-102
- GP55-5493-FBW
- 660-031NF21H6-05G
- 500T010M15B08S
- 4-1971875-4
- 3-6609941-7
- SFP-GE-LX-SM1310-BIDI-C
- SIT8209AI-21-33E-133.330000
- SIT8208AI-22-33E-33.333330
- OBM-A3BA4-C01
- 3QHM572C0.25-166.000
- 701-083
- ZST-113-02-G-D-590
- EV-MCS-LVDRV-Z
- STM065H4Q
- SIT9365AI-4B3-28N98.304000
- 714-83-158-41-001101
- R7F7010223AFE#AA4
- SIT8920AM-23-33E-48.000000
- SIT9365AI-4E1-30E25.000000