商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 104A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 390W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 2.33nF |
商品概述
基于先进耐用技术（ART），这款2000 W LDMOS射频功率晶体管专为覆盖工业、科学和医疗（ISM）、广播和通信等广泛应用领域而设计。这款非匹配晶体管的频率范围为1 MHz至400 MHz。
商品特性
- 功率MOS快恢复外延二极管场效应晶体管(FREDFET)
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征反向二极管
- 雪崩能量额定值
- 高耐用性
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- 用于功率连接的引线框架
- 内置热敏电阻用于温度监测
- 高度集成
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
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