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场效应管(MOSFET)
APTM20HM08FG
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此图展示了型号为 APTM20HM08FG 的引脚布局
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此图展示了型号为 APTM20HM08FG 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
APTM20HM08FG
4个N沟道 耐压:200V 电流:208A
品牌名称
MICROCHIP(美国微芯)
商品型号
APTM20HM08FG
商品编号
C17314436
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
-
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
208A
导通电阻(RDS(on))
10mΩ@10V
耗散功率(Pd)
781W
阈值电压(Vgs(th))
5V
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
280nC@10V
输入电容(Ciss)
14.4nF
反向传输电容(Crss)
290pF
工作温度
-40℃~+150℃
配置
半桥
类型
N沟道
输出电容(Coss)
4.66nF
数据手册PDF
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