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APTM20HM08FG引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APTM20HM08FG

4个N沟道 耐压:200V 电流:208A

商品型号
APTM20HM08FG
商品编号
C17314436
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)208A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)781W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)280nC@10V
输入电容(Ciss)14.4nF
反向传输电容(Crss)290pF
工作温度-40℃~+150℃
配置半桥
类型N沟道
输出电容(Coss)4.66nF

商品概述

该全桥MOSFET功率模块的V_DSS为200V,R_DSon在Tj = 25°C时典型值为8mΩ,I_D在Tc = 25°C时为208A。文档给出了绝对最大额定值、电气特性、动态特性、源 - 漏二极管额定值和特性等参数,还展示了典型性能曲线,如最大有效瞬态热阻抗、结到外壳与脉冲持续时间的关系等。

商品特性

  • 全桥MOSFET功率模块
  • V_DSS = 200V
  • R_DSon典型值8mΩ(Tj = 25°C)
  • I_D = 208A(Tc = 25°C)

数据手册PDF