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PE42524B-X

10MHz-40GHz超宽带反射式SPDT射频开关

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描述: PE42524是一款采用HaRPTM技术增强的反射式SPDT射频开关芯片，支持从10MHz到40GHz的宽频带。这款宽频带翻转芯片开关提供高隔离性能，适用于雷达。在30GHz时，PE42524表现出17dB的活动端口回波损耗，47dB的隔离度和2.2dB的插入损耗。如果RF端口上没有直流电压，则无需阻塞电容器。
品牌名称: pSemi(游隼半导体)
商品型号: PE42524B-X
商品编号: C17312557
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品概述

PE42524是一款采用HaRP技术增强的反射式单刀双掷（SPDT）射频开关裸片，支持10 MHz至40 GHz的宽频率范围。这款宽带倒装芯片开关具有高隔离性能、出色的线性度和低插入损耗，非常适合测试与测量（T&M）、微波回传、雷达等应用。在30 GHz时，PE42524的有源端口回波损耗为17 dB，隔离度为47 dB，插入损耗为2.2 dB。如果射频端口上没有直流电压，则无需使用隔直电容。 PE42524采用pSemi的UltraCMOS工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体。 pSemi的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。

商品特性

支持高达40 GHz的宽带
高端口间隔离度
- 在26.5 GHz时为48 dB
- 在35 GHz时为39 dB
- 在40 GHz时为33 dB
出色的线性度性能
- 在26.5 GHz时P1dB为31.5 dBm
- 在35 GHz时P1dB为28.0 dBm
- 在13.5 GHz时IIP3为50 dBm
快速的射频上升/下降时间，为55 ns
低插入损耗
- 在26.5 GHz时为1.8 dB
- 在35 GHz时为3.1 dB
倒装芯片裸片

应用领域

测试与测量
微波回传
雷达

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	10MHz~40GHz
	隔离度	48dB

	属性	参数值
	插入损耗	3.1dB
	工作电压	3.5V
	工作温度	-40℃~+85℃