TC58NYG1S3HBAI6
TC58NYG1S3HBAI6
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- 描述
- TC58NYG1S3HBAI6是一款单1.8V 2Gbit (2,281,701,376 bits) 的NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (EEPROM)。它具有2176字节×128K×8的存储阵列，每个块大小为(128K + 8K)字节。该设备支持多页编程、多块擦除、多页复制和多页读取模式。适用于需要高密度非易失性数据存储的相机和其他系统。
- 品牌名称
- KIOXIA(铠侠)
- 商品型号
- TC58NYG1S3HBAI6
- 商品编号
- C17312573
- 商品封装
- VFBGA-67(6.5x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 25ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 3.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 擦写寿命 | - |
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