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TC58NYG1S3HBAI6引脚图
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TC58NYG1S3HBAI6

TC58NYG1S3HBAI6

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描述
TC58NYG1S3HBAI6是一款单1.8V 2Gbit (2,281,701,376 bits) 的NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (EEPROM)。它具有2176字节×128K×8的存储阵列,每个块大小为(128K + 8K)字节。该设备支持多页编程、多块擦除、多页复制和多页读取模式。适用于需要高密度非易失性数据存储的相机和其他系统。
品牌名称
KIOXIA(铠侠)
商品型号
TC58NYG1S3HBAI6
商品编号
C17312573
商品封装
VFBGA-67(6.5x8)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量2Gbit
接口类型Parallel
时钟频率(fc)-
工作电压1.7V~1.95V
写周期时间(Tw)25ns
页写入时间(Tpp)25ns
属性参数值
块擦除时间(tBE)3.5ms
数据保留 - TDR(年)-
工作温度-40℃~+85℃
待机电流50uA
擦写寿命-
功能特性硬件写保护功能;读缓存功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能

数据手册PDF