温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.6mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.055nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 低漏源导通电阻
- Q1 N 沟道：RDS(ON) = 39.1 mΩ（最大值）（@ VGS = 4.5 V）
- Q1 N 沟道：RDS(ON) = 53 mΩ（最大值）（@ VGS = 2.5 V）
- Q1 N 沟道：RDS(ON) = 82 mΩ（最大值）（@ VGS = 1.8 V）
- Q2 P 沟道：RDS(ON) = 45 mΩ（最大值）（@ VGS = -10 V）
- Q2 P 沟道：RDS(ON) = 56 mΩ（最大值）（@ VGS = -4.5 V）
- Q2 P 沟道：RDS(ON) = 76 mΩ（最大值）（@ VGS = -2.5 V）
- Q2 P 沟道：RDS(ON) = 157 mΩ（最大值）（@ VGS = -1.8 V）
应用领域
- 电源管理开关
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