- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT50GP60JDQ2
APT50GP60JDQ2
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT50GP60JDQ2
- 商品编号
- C17306371
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 329W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 190A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 5.7nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 465pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 30pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 85ns | |
| 导通损耗(Eon) | 465uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 635uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 105ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 安全工作区（SSOA）额定
- 低栅极电荷
- 超快速尾电流关断
- XPCWHT-L1-0000-00GF5
- 2011970304
- SIT9003AC-24-33SD-5.00000Y
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- VS-10ETF12THM3
- BLU1206-6191-BT25W
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- S3KB-HF
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- TRAN-40VA
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