ALD1101ASAL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 40mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75Ω@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 10pF | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
一款30 W LDMOS驱动晶体管，适用于广播、AB类发射机和工业应用。该器件出色的耐用性使其非常适合400 MHz至860 MHz频率范围内的数字和模拟发射机应用。
商品特性
- 低阈值电压0.7V
- 低输入电容
- 低失调电压等级 —— 2mV、5mV、10mV
- 高输入阻抗 —— 典型值10^12Ω
- 负电流(IDS)温度系数
- 增强型(常开)
- 直流电流增益10^9
- 符合RoHS标准
应用领域
-精密电流镜-精密电流源-模拟开关-斩波器-差分放大器输入级-电压比较器-数据转换器-采样保持电路-模拟反相器
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