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ALD110904SAL

2个N沟道耐压:10.6V 电流:12mA 电流:3mA

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品牌名称: ALD
商品型号: ALD110904SAL
商品编号: C17303513
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.23克(g)

商品参数

商品概述

ALD1115是一款单片互补N沟道和P沟道晶体管对，适用于广泛的模拟应用。这些增强型晶体管采用Advanced Linear Devices公司的增强型ACMOS硅栅CMOS工艺制造。它在一个封装中集成了一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET。ALD1115是四互补ALD1105的双路版本。 ALD1115具有高输入阻抗和负电流温度系数。该晶体管对专为+1V至+10V系统中的精密信号切换和放大应用而设计，这些应用需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。由于这些是MOSFET器件，它们在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无限大）的电流增益。当源极、漏极和栅极连接在一起并联时，可以构成一个CMOS模拟开关。此外，ALD1115还可作为CMOS反相器、差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的基本组件。 ALD1115适用于需要非常高电流增益β的精密应用，如电流镜和电流源。场效应晶体管的高输入阻抗和高直流电流增益使得通过控制栅极的电流损耗极低。直流电流增益受栅极输入泄漏电流的限制，室温下该泄漏电流规定为100pA。V+连接到衬底，衬底是ALD1115的最高正电压电位，通常为SP（5）。同样，V-连接到ALD1115的最低负电压电位，通常为SN（1）。

商品特性

增强型(常开)
精确的栅极阈值电压为+0.40V
MOSFET之间特性匹配
严格的批次间参数控制
低输入电容
VGS(th)匹配(VOS)至10mV
高输入阻抗 — 典型值为10^12 Ω
正、零和负VGS(th)温度系数
直流电流增益>10^8
低输入和输出泄漏电流

应用领域

超低功耗(纳瓦级)模拟和数字电路
超低工作电压(<0.40V)电路
亚阈值偏置和操作电路
精密电流镜和电流源
纳安级电流源
高阻抗电阻模拟器
电容式探头和传感器接口
差分放大器输入级
分立电压比较器和电平转换器
电压偏置电路
采样保持电路
模拟和数字反相器
电荷检测器和电荷积分器
源极跟随器和高阻抗缓冲器
电流倍增器
分立模拟开关/多路复用器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	10.6V
	连续漏极电流(Id)	12mA
	导通电阻(RDS(on))	500Ω@4.4V
	耗散功率(Pd)	500mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	400mV
	输入电容(Ciss)	2.5pF
	反向传输电容(Crss)	0.1pF
	工作温度	0℃~+70℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-