NTE108-1

NTE108（TO92封装）和NTE108 - 1（TO106封装）是硅NPN晶体管，专为低噪声、高频放大器、1GHz本地振荡器、非中和中频放大器以及上升和下降时间小于2.5ns的非饱和电路而设计。

• 集电极 - 发射极电压（VCEO）：15V
• 集电极 - 基极电压（VCBO）：30V
• 发射极 - 基极电压（VEBO）：3V
• 连续集电极电流（IC）：50mA
• 总器件功耗（Ta = +25°C）：625mW
• 25°C以上降额：12mW/°C
• 工作结温范围（Tj）：-55°C至+150°C
• 储存温度范围（Tstg）：-55°C至+150°C
• 结到外壳热阻（RthJC）：+83.3°C/W
• 结到环境热阻（RthJA）：+200°C/W