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NTE16003
NTE16003
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE16003
- 商品编号
- C17301429
- 商品封装
- TO-60
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 11.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | - | |
| 特征频率(fT) | 500MHz | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
NTE16003是一款采用TO60封装的射频功率晶体管，采用多发射极电极设计。这一特性与位于各个发射极之间的高扩散基极矩阵相结合，使得该晶体管具有高射频电流处理能力、高功率增益、低基极电阻和低输出电容。该器件适用于A类、B类或C类放大器、振荡器或倍频器电路，专门设计用于甚高频 - 超高频区域工作。
商品特性
- 采用多发射极电极设计
- 高射频电流处理能力
- 高功率增益
- 低基极电阻
- 低输出电容
应用领域
A类、B类或C类放大器、振荡器、倍频器电路
- 5204-0011-40
- SIT8208AC-81-28S-65.000000
- 1731120168
- BZV03/Z0000/02
- SIT1602BC-81-33E-33.333300
- M85049/130-36AN
- DMC-M 40 W 01
- SIT8208AC-32-28S-66.660000
- SIT1602BC-11-30S-38.000000
- 3QHM572C1.5-49.500
- STM025H2N
- 302-N-HDS/04
- 644830-1
- 3QHM53C0.125-6.780
- 1912
- 125-R10-JBW
- M22FP-ASB20-WO
- SIT8209AI-83-33S-156.257812
- 125-R68-JBW
- DBMMG17C2PJ
- 549BACB002002ACG