KITDRIVER2EDS8265HTOBO1
KITDRIVER2EDS8265HTOBO1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- KITDRIVER2EDS8265HTOBO1
- 商品编号
- C17297700
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 欠压保护 |
商品概述
EiceDRIVER 2EDi是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动IC,通过无芯变压器(CT)技术提供功能(2EDFx)或加强(2EDSx)输入到输出的隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力,2EDi特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET(CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC、CoolGaN)。该产品系列的栅极驱动器专为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计,针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计,并提供了更高的功率转换效率。2EDSx和2EDFx双通道加强(安全)和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度:4 A/8 A适用于低欧姆功率MOSFET,1 A/2 A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变(EMI)。两个独立且电气隔离的栅极驱动通道确保所有2EDi版本可用于低侧和高侧开关的任何可能配置。最小150 V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI)、带18 ns噪声滤波器的PWM输入、输出侧的欠压锁定(包括输入欠压锁定时驱动器输出的安全自锁)、具有高达5 A峰值反向电流能力的PWM输出以及本质上坚固的栅极驱动器设计,提高了系统的稳健性。
商品特性
- 4 A / 8 A或1 A / 2 A源/灌输出电流
- 高达10 MHz的PWM开关频率
- PWM信号传播延迟典型值为37 ns,通道间失配为–3 ns,传播延迟变化为+7/-6 ns
- 共模瞬态抗扰度CMTI > 150 V/ns
- 输入侧欠压锁定(UVLO)时快速安全关断
- 输出电源电压从4.5 V到20 V,UVLO阈值为4 V或8 V
- 宽温度工作范围TJ = -40℃至+150℃
- 符合RoHS标准的宽/窄体(WB/NB)DSO16和5 mm x 5 mm LGA封装
- 根据JEDEC标准完全适用于工业应用
应用领域
服务器、电信和工业开关电源、同步整流、砖式转换器、UPS和电池存储、电动汽车充电、工业自动化、电机驱动和电动工具
