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KITDRIVER2EDS8265HTOBO1实物图
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KITDRIVER2EDS8265HTOBO1

KITDRIVER2EDS8265HTOBO1

商品型号
KITDRIVER2EDS8265HTOBO1
商品编号
C17297700
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录其他模块
类型电源管理
属性参数值
功能特性欠压保护

商品概述

EiceDRIVER 2EDi是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动IC,通过无芯变压器(CT)技术提供功能(2EDFx)或加强(2EDSx)输入到输出的隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力,2EDi特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET(CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC、CoolGaN)。该产品系列的栅极驱动器专为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计,针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计,并提供了更高的功率转换效率。2EDSx和2EDFx双通道加强(安全)和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度:4 A/8 A适用于低欧姆功率MOSFET,1 A/2 A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变(EMI)。两个独立且电气隔离的栅极驱动通道确保所有2EDi版本可用于低侧和高侧开关的任何可能配置。最小150 V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI)、带18 ns噪声滤波器的PWM输入、输出侧的欠压锁定(包括输入欠压锁定时驱动器输出的安全自锁)、具有高达5 A峰值反向电流能力的PWM输出以及本质上坚固的栅极驱动器设计,提高了系统的稳健性。

商品特性

  • 4 A / 8 A或1 A / 2 A源/灌输出电流
  • 高达10 MHz的PWM开关频率
  • PWM信号传播延迟典型值为37 ns,通道间失配为–3 ns,传播延迟变化为+7/-6 ns
  • 共模瞬态抗扰度CMTI > 150 V/ns
  • 输入侧欠压锁定(UVLO)时快速安全关断
  • 输出电源电压从4.5 V到20 V,UVLO阈值为4 V或8 V
  • 宽温度工作范围TJ = -40℃至+150℃
  • 符合RoHS标准的宽/窄体(WB/NB)DSO16和5 mm x 5 mm LGA封装
  • 根据JEDEC标准完全适用于工业应用

应用领域

服务器、电信和工业开关电源、同步整流、砖式转换器、UPS和电池存储、电动汽车充电、工业自动化、电机驱动和电动工具

数据手册PDF