商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 2.5kV | |
| 集电极电流(Ic) | 116A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3V@15V,64A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 400nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 160ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 直接铜键合（DCB）基板上的硅芯片
- 隔离安装表面
- 2500V~电气隔离
- 高阻断电压
- 低开关损耗
- 高电流处理能力
- 反并联二极管
- 高功率密度
- 低栅极驱动要求
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源（UPS）
- 电容放电电路
- 激光发生器
- F-54X
- SG-8018CG 24.5000M-TJHSA0
- LCS7260C-TL
- MAX2880EVKIT#
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- SG-8018CE 20.0480M-TJHSA0
- MOLC-140-M1-S-Q
- CDSF355B
- PB6B2FM3M3CAL00
- PR1-680-JTW
- SIT8208AC-8F-28E-8.192000T
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- SFT-10-B-F35-EPC
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