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ALD1117SAL

2个P沟道耐压:10.6V

品牌名称: ALD
商品型号: ALD1117SAL
商品编号: C17297278
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.23克(g)

商品参数

商品概述

ALD1107/ALD1117 是单片四通道/双通道 P 沟道增强型匹配 MOSFET 晶体管阵列,适用于广泛的精密模拟应用。ALD1107/ALD1117 具有高输入阻抗和负电流温度系数。晶体管对经过匹配,可实现最小失调电压和差分热响应,专为 -2V 至 -10V 系统中的精密模拟开关和放大应用而设计,这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。这些 MOSFET 器件在低频或接近直流的工作环境中具有非常大(几乎无穷大)的电流增益。ALD1107/ALD1117 是差分放大器输入级、传输门、多路复用器应用、电流源和许多精密模拟电路的基本构建模块。

商品特性

低阈值电压 -0.7V
低输入电容
低失调电压(Vos) —— 典型值 2mV
高输入阻抗 —— 典型值 10^14 Ω
负电流(IDS)温度系数
增强型(常开)
直流电流增益 10^9
低输入和输出泄漏电流
符合 RoHS 标准

应用领域

-精密电流镜-精密电流源-电压斩波器-差分放大器输入级-电压比较器-数据转换器-采样与保持-模拟信号处理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个P沟道
	漏源电压(Vdss)	10V
	连续漏极电流(Id)	2mA
	导通电阻(RDS(on))	1.8kΩ
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	0℃~+70℃
	配置	-
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	-