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场效应管(MOSFET)
ALD1117SAL
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此图展示了型号为 ALD1117SAL 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 ALD1117SAL 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
ALD1117SAL
2个P沟道 耐压:10.6V
品牌名称
ALD
商品型号
ALD1117SAL
商品编号
C17297278
商品封装
SOIC-8
包装方式
管装
商品毛重
0.23克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
2个P沟道
漏源电压(Vdss)
10V
连续漏极电流(Id)
2mA
导通电阻(RDS(on))
1.8kΩ@5V,0.1V
耗散功率(Pd)
500mW
阈值电压(Vgs(th))
1.2V@1.0uA
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
-
输入电容(Ciss)
-
反向传输电容(Crss)
-
工作温度
0℃~+70℃
配置
-
类型
P沟道
输出电容(Coss)
-
数据手册PDF
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