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IS43TR81280CL-125JBLI

1Gb DDR3 SDRAM

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描述: 128M x 8 1.35V DDR3L SDRAM，支持高速数据传输率，具有8个内部bank，支持部分阵列自刷新，兼容1.5V和1.35V低电压操作。
品牌名称: ISSI(美国芯成)
商品型号: IS43TR81280CL-125JBLI
商品编号: C17295877
商品封装: TWBGA-78(8x10.5)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.562克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电压	1.283V~1.45V
	工作温度	-40℃~+95℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

该文档介绍了128MX8、64MX16 1Gb DDR3 SDRAM的相关信息。包含对其特性的说明，如标准电压、低电压、高速数据传输率、内部银行配置、预取架构、可编程参数等；还介绍了不同的配置和封装形式；详细说明了DDR3的引脚布局、功能描述，以及上电初始化的步骤和相关电压要求等。

标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
低电压（L）：VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V， - 0.067V，向后兼容1.5V
高速数据传输率，系统频率高达1066 MHz
8个内部存储体用于并发操作
8n位预取架构
可编程CAS延迟
可编程附加延迟：0、CL - 1、CL - 2
基于tCK的可编程CAS写延迟（CWL）
可编程突发长度：4和8
可编程突发序列：顺序或交错
动态BL切换
自动自刷新（ASR）
自刷新温度（SRT）
刷新间隔：7.8μs（8192周期/64 ms），Tc = - 40°C至85°C；3.9μs（8192周期/32 ms），Tc = 85°C至105°C；1.95μs（8192周期/16 ms），Tc = 105°C至115°C；0.97μs（8192周期/8 ms），Tc = 115°C至125°C
部分阵列自刷新
异步复位引脚
支持TDQS（终端数据选通）（仅x8）
OCD（片外驱动器阻抗调整）
动态ODT（片内终端）
驱动器强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240Ω）
写校准
在DLL关闭模式下高达200 MHz
工作温度：商业级（Tc = 0°C至+95°C）；工业级（Tc = - 40°C至+95°C）；汽车级A1（Tc = - 40°C至+95°C）；汽车级A2（Tc = - 40°C至+105°C）；汽车级A25（Tc = - 40°C至+115°C）；汽车级A3（Tc = - 40°C至+125°C）