S70KL1283GABHV023
128Mb自刷新DRAM(PSRAM)，八进制xSPI，1.8V/3.0V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S70KL1283GABHV023
- 商品编号
- C17295895
- 商品封装
- FBGA-24(6x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16565克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | PSRAM(伪静态) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 软件复位功能；部分阵列刷新；刷新冲突指示；内置自动刷新逻辑；硬件复位功能；自动掉电功能 |
商品概述
英飞凌128 Mb HYPERRAM™ 设备是一款高速CMOS自刷新动态随机存取存储器（DRAM），具有xSPI（八进制）接口。DRAM阵列使用动态单元，需要定期刷新。当xSPI接口主控（主机）未对存储器进行主动读写时，设备内的刷新控制逻辑会管理DRAM阵列的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作，因此对主机而言，该DRAM阵列就像使用了无需刷新即可保留数据的静态单元，所以该存储器更准确地应描述为伪静态随机存取存储器（PSRAM）。由于在读写事务期间无法刷新DRAM单元，因此要求主机限制读写突发传输长度，以便在需要时进行内部逻辑刷新操作。如果存储器表明需要进行刷新操作，主机必须限制事务的持续时间，并在新事务开始时允许额外的初始访问延迟。双芯片128 Mb HYPERRAM™ 芯片仅支持具有额外（2倍）延迟的数据事务。
商品特性
- xSPI（八进制）接口
- 支持1.8 V/3.0 V接口
- 单端时钟（CK） - 11个总线信号
- 可选差分时钟（CK，CK#） - 12个总线信号
- 芯片选择（CS#）
- 8位数据总线（DQ[7:0]）
- 硬件复位（RESET#）
- 双向读写数据选通（RWDS）
- 在所有事务开始时输出以指示刷新延迟
- 在读取事务期间作为读取数据选通输出
- 在写入事务期间作为写入数据掩码输入
- 可选DDR中心对齐读取选通（DCARS）
- 在读取事务期间，RWDS偏移第二个时钟，与CK有相移
- 相移时钟用于在读取数据窗口内移动RWDS转换边沿
- 最大时钟速率200 MHz
- DDR在时钟的两个边沿传输数据
- 数据吞吐量高达400 MBps（3200 Mbps）
- 可配置突发特性
- 线性突发
- 环绕突发长度：16字节（8个时钟）、32字节（16个时钟）、64字节（32个时钟）、128字节（64个时钟）
- 混合选项 - 在64 Mb上一个环绕突发后接线性突发，不支持跨芯片边界的线性突发
- 可配置输出驱动强度
- 电源模式：混合睡眠模式、深度掉电
- 阵列刷新：部分内存阵列（1/8、1/4、1/2等）、全阵列
- 封装：24球FBGA
- 工作温度范围：工业级（I）-40℃至+85℃；工业增强级（V）-40℃至+105℃；汽车级，AEC-Q100 3级 -40℃至+85℃；汽车级，AEC-Q100 2级 -40℃至+105℃
- 技术：38 nm DRAM