ALD310708A/ALD310708高精度单片四通道P沟道MOSFET阵列采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行匹配。该器件有四通道版本,是EPAD匹配对MOSFET系列的成员。ALD310708A/ALD310708是广受欢迎的ALD110808A/ALD110808精密阈值器件的P沟道版本。这两个MOSFET系列共同支持基于互补精密N沟道和P沟道MOSFET阵列的电路。
ALD310708A/ALD310708适用于低电压、低功率小信号应用,其特点是具有精确的-0.80V栅极阈值电压,这使得电路设计能够使用非常低的工作电压,例如2V电源,此时电路在ALD310708A/ALD310708的阈值电压以下工作。这一特性还扩展了输入/输出信号的工作范围,特别是在极低工作电压环境中。使用这些低阈值精密器件,可以构建多级级联电路,使其在极低的电源或偏置电压水平下工作。ALD310708A/ALD310708还具有高输入阻抗(2.5 × 10^10Ω)和高直流电流增益(>10^8)。
ALD310708A/ALD310708 MOSFET的设计旨在实现器件电气特性的出色匹配。栅极阈值电压VGS(th)精确设置为-0.80V ± 0.02V,典型失调电压仅为± 0.001V(1mV)。由于这些器件位于同一单片芯片上,它们还具有出色的温度跟踪特性。它们是广泛的精密模拟应用的通用设计组件,例如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。这些器件在有限工作电压应用中也表现出色,例如极低电平精密电压钳位。除了匹配对电气特性外,每个单独的MOSFET都具有良好控制的制造特性,使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。
这些器件旨在提供最小的失调电压和差分热响应,它们还可用于-0.80V至-8.0V(±0.40V至±4.0V)供电系统中的开关和放大应用,这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。这些器件具有良好控制的关断和亚阈值特性,其工作方式与标准增强型P沟道MOSFET相同。然而,栅极阈值电压的精度带来了两个关键的额外特性或操作特点。首先,在栅极阈值电压或以下(亚阈值区域),工作电流水平随栅极偏置电压呈指数变化。其次,电路可以在亚阈值区域以nA级的偏置电流和nW级的功耗进行偏置和操作。
