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SSM6L35FU(TE85L,F)
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:180mA
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- 描述
- 应用：高速开关应用。 模拟开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6L35FU(TE85L,F)
- 商品编号
- C17292449
- 商品封装
- TSSOP-6(SC-88)SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44Ω@1.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9.5pF |
商品特性
- 高速开关应用
- 模拟开关应用
- N沟道:1.2V驱动
- P沟道:1.2V驱动
- N沟道、P沟道二合一
- 低导通电阻 Q1 N沟道:Ron = 20 Ω(最大值)(@VGS = 1.2 V)
- Ron = 8 Ω(最大值)(@VGS = 1.5 V)
- Ron = 4 Ω(最大值)(@VGS = 2.5 V)
- Ron = 3 Ω(最大值)(@VGS = 4.0 V)
- Q2 P沟道:Ron = 44 Ω(最大值)(在VGS = -1.2 V时)
- Ron = 22 Ω(最大值)(在VGS = -1.5 V时)
- Ron = 11 Ω(最大值)(@VGS = -2.5 V)
- Ron = 8 Ω(最大值)(在VGS = -4.0 V时)
- 重量:6.8 mg(典型值)
应用领域
- 高速开关应用
- 模拟开关应用
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