TK10V60W,LVQ
1个N沟道 耐压:600V 电流:9.7A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK10V60W,LVQ
- 商品编号
- C17293356
- 商品封装
- DFN-4-EP(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V@0.5mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 先进的沟槽式MOSFET工艺技术
- 超低导通电阻与低栅极电荷
- 可应要求添加后缀“-HF”提供无卤产品
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿气敏感度等级1级
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