TK10V60W,LVQ
1个N沟道 耐压:600V 电流:9.7A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK10V60W,LVQ
- 商品编号
- C17293356
- 商品封装
- DFN-4-EP(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.327Ω(典型值)
- 栅极开关易于控制
- 增强型:Vth = 2.7至3.7 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)
应用领域
-开关稳压器
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