HN1B01FU-Y,LXHF
HN1B01FU-Y,LXHF
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- HN1B01FU-Y,LXHF
- 商品编号
- C17290665
- 商品封装
- TSSOP-6(SC-88)SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 120 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
商品特性
- Q1特性:
- 高电压:VCEO = -50 V
- 高集电极电流:IC = -150 mA(最大值)
- 高hFE:hFE = 120至400
- 出色的hFE线性度:hF ΔE(IC = -0.1 mA)/hFE(IC = -2 mA) = 0.95(典型值)
- Q2特性:
- 高电压:VCEO = 50 V
- 高集电极电流:IC = 150 mA(最大值)
- 高hFE:hFE = 120至400
- 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1 mA)/hFE(IC = 2 mA) = 0.95(典型值)
- Q1和Q2共同特性:
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
低频放大器
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