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TC58BVG0S3HBAI6实物图
  • TC58BVG0S3HBAI6商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TC58BVG0S3HBAI6

1 Gbit CMOS NAND E2PROM

描述
TC58BVG0S3HBAI6是一款1 Gbit(1,107,296,256位)NAND Flash存储器,组织结构为(2048+64)字节x64页x1024块。该设备具有2112字节的静态寄存器,支持自动擦除和编程操作,适用于需要高密度非易失性存储的应用场景。
品牌名称
KIOXIA(铠侠)
商品型号
TC58BVG0S3HBAI6
商品编号
C17288601
商品封装
VFBGA-67(6.5x8)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量1Gbit
接口类型Parallel
时钟频率(fc)-
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)25ns
页写入时间(Tpp)25ns
属性参数值
块擦除时间(tBE)2.5ms
数据保留 - TDR(年)-
工作温度-40℃~+85℃
待机电流50uA
擦写寿命-
功能特性硬件写保护功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能

数据手册PDF