TC58BVG0S3HBAI6
1 Gbit CMOS NAND E2PROM
- 描述
- TC58BVG0S3HBAI6是一款1 Gbit(1,107,296,256位)NAND Flash存储器,组织结构为(2048+64)字节x64页x1024块。该设备具有2112字节的静态寄存器,支持自动擦除和编程操作,适用于需要高密度非易失性存储的应用场景。
- 品牌名称
- KIOXIA(铠侠)
- 商品型号
- TC58BVG0S3HBAI6
- 商品编号
- C17288601
- 商品封装
- VFBGA-67(6.5x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 擦写寿命 | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能 |
- STMM-112-02-L-D-RA
- XMLBWT-00-0000-000HU20Z7
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- SI8273ABD-IS1R
- GT8EA-2P-2H(55)
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