TH58BYG3S0HBAI4

8Gbit CMOS NAND E2PROM

品牌名称: KIOXIA(铠侠)
商品型号: TH58BYG3S0HBAI4
商品编号: C17293323
商品封装: TFBGA-63(9x11)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.622克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	3.5ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	100uA
	擦写寿命	-
	功能特性	硬件写保护功能；读缓存功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能
	ECC	有

商品概述

TH58BYG3S0HBAI4是一款单电源1.8V、8Gbit（8,858,370,048位）的NAND型电可擦除可编程只读存储器，其组织结构为（4096+128）字节×64页×4096块。该器件配备一个4224字节的静态寄存器，允许以4224字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单个块为单位（256K字节+8K字节：4224字节×64页）执行。TH58BYG3S0HBAI4是一款串行型存储器器件，其I/O引脚用于地址和数据输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行，使其非常适合需要高密度非易失性数据存储的应用，例如固态文件存储、语音记录、静态相机的图像文件存储器等系统。TH58BYG3S0HBAI4芯片上集成了ECC逻辑，可内部纠正每528字节的8位读取错误。

商品特性

工作模式：读取、复位、自动页编程、自动块擦除、状态读取、页复制、多页读取、多页编程、多块擦除、ECC状态读取
模式控制：串行输入/输出命令控制
有效块数量：最小4016块，最大4096块
电源电压：VCC = 1.7 V ~ 1.95 V
访问时间：存储单元阵列到寄存器55 μs典型值（单页读取）/ 90 μs典型值（多页读取）；读取周期时间25 ns最小值（CL=30pF）
编程/擦除时间：自动页编程340 μs/页典型值；自动块擦除3.5 ms/块典型值
封装：P-TFBGA63-0911-0.80CZ（重量：0.165 g典型值）
芯片上实现每528字节的8位ECC功能

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	8Gbit
	接口类型	Parallel
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	1.7V~1.95V
	写周期时间(Tw)	25ns
	页写入时间(Tpp)	25ns