商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 600V | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 负载电压 | 32V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@50mA,2mA | |
| 上升时间(tr) | 7us | |
| 下降时间 | 6.7us | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 20% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 100% | |
| 总功耗(Pd) | 200mW | |
| 正向电流(If) | 60mA |
商品概述
4N25V、4N25GV、4N35V、4N35GV系列产品包含一个光电晶体管，该晶体管与砷化镓红外发光二极管通过光耦合，采用6引脚塑料双列直插式封装。
商品特性
- 特殊结构：因此，典型耦合电容极低，为0.2 pF，共模抑制比高
- 电流传输比（CTR）的温度系数低
- 额定隔离电压（RMS含直流）符合RoHS标准，V₁₀WM = 600 V RMS（848 V峰值）
- 额定重复峰值电压（重复性）V₁₀RM = 600 V RMS
- 绝缘厚度 ≥ 0.4 mm
- 根据VDE 0303/IEC 60112相比漏电起痕指数，耐漏电起痕电流：CTl ≥ 275
- 额定脉冲电压（瞬态过电压）VIOTM = 6 kV峰值
- 隔离测试电压（局部放电测试电压）Vpd = 1.6 kV
- 符合RoHS指令2002/95/EC，并符合WEEE指令2002/96/EC
应用领域
- 开关电源
- 线路接收器
- 计算机外设接口
- 微处理器系统接口
- 根据安全等级II（加强隔离）设计的防触电安全保护隔离电路： - 适用于电源电压 ≤ 300 V的I - IV类应用 - 根据DIN EN 60747 - 5 - 5标准，适用于电源电压 ≤ 600 V的I - III类应用