ILD211T

DC 4kV

描述: ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件能够传输包含直流电平的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装，非常适合空间有限的高密度应用
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: ILD211T
商品编号: C17290411
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	晶体管输出光耦
	输入类型	DC
	输出类型	光电三极管
	正向压降(Vf)	1.2V
	输出电流	2.5mA
	隔离电压(Vrms)	4kV
	直流反向耐压(Vr)	6V
	负载电压	70V
	输出通道数	2

	属性	参数值
	集射极饱和电压(VCE(sat))	400mV@10mA,10mA
	上升时间(tr)	3us
	下降时间	4.7us
	工作温度	-55℃~+100℃
	电流传输比(CTR)最小值	20%
	电流传输比(CTR)最大值/饱和值	80%
	总功耗(Pd)	350mW
	正向电流(If)	30mA
	功能特性	-

商品概述

ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T和ILD213T是由砷化镓红外LED和硅NPN光电晶体管组成的光耦合对。该器件可以传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T和ILD213T采用标准的SOIC - 8小外形封装，适用于空间有限的高密度应用。除了无需通孔外，该封装符合表面贴装器件的标准。规定的最小和最大电流传输比（CTR）允许相邻电路的电气设计具有较窄的公差。70 V的高集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）与30 V的行业标准相比，提供了更高的安全裕度。

商品特性

双通道耦合器，采用SOIC - 8表面贴装封装
标准引脚间距为0.05英寸
仅提供卷带包装选项（符合EIA标准481 - 2）
隔离测试电压为4000 Vrms
兼容双波、气相和红外回流焊接

数据手册PDF

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