PJX8872B_R1_00001
2个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJX8872B_R1_00001
- 商品编号
- C17282857
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 820pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 栅源电压(VGS)为10V、漏极电流(ID)为600mA时,导通电阻RDS(ON) < 3Ω
- 栅源电压(VGS)为4.5V、漏极电流(ID)为200mA时,导通电阻RDS(ON) < 4Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为继电器驱动、高速线路驱动等设计
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑料
应用领域
- 背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能
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